数字世界的创新将从超差距技术的电子材料开始。
Technology-
oriented
Customer-
oriented
High
reliability
三星SDI在有机、无机材料设计技术的基础上优化并提供半导体工艺的必要材料，这些材料可以实现移动电话、笔记本电脑等高新设备中包含的内存和工艺芯片的高性能化、高密集化。由于半导体芯片极其精细，原本看不见的杂质也会暴露为致命的缺点，因此三星SDI正在开发应用优秀的提纯和Defect控制 技术完全去除杂质的产品。随着半导体元件的高功能化，稳定性变得越发重要。三星SDI在优秀的组成设计和可靠性掌握技术基础上 提供差异化的封装材料，以便在水分、碰撞等外部环境和损伤中保护半导体元件，实现半导体元件的稳定性能。
SOH是一种用来实现半导体微图形的涂层材料， 其特点是基于Hardmask极其坚硬这一特性和选择比进行深度Etch的功能。 本公司的SOH通过将现有CVD工艺简化为Spin Coating方式 为简化工艺、提高生产效率、降低成本等半导体工艺技术的发展作出了贡献。
SOD是在半导体电路之间进行电绝缘的液态涂层材料， 其特点是反应性低，可改善微图形之间发生的气泡（Void）缺陷。 本公司的SOD通过将现有CVD工艺简化为Spin Coating方式 为简化工艺、提高生产效率、降低成本等半导体工艺技术的发展作出了贡献。
CMP Slurry是通过化学、机械方式使半导体工艺过程中形成的段差等凹凸不平的Wafer表面 变得平坦的研磨剂，其特点是通过颗粒和添加剂的相互优化 改善平坦率、实现Low Defect。 本公司拥有Oxide、Metal（W、Cu）、Ceria Slurry产品群。
EUV材料是用来实现半导体13.5nm超微图形的新一代材料， 本公司正在通过独家专利和共同评估开发和量产Photo Resist、Under Layer、Thinner等。
CIS-CR材料是实现CMOS Image Sensor的Pixel颜色的Photo Resist， 该材料会将可见光选择性地提取、转换为R、G、B中特定颜色的光线， 本公司的CIS-CR材料可实现高分辨率所需的微图形化， 其特点是实现高色域的同时尽可能地减少Pixel之间的光波干涉。
了解世界最高水平的三星SDI电子材料, 咨询商业成功所需的产品。
