数字世界的创新将从超差距技术的电子材料开始。
三星SDI 1994年从半导体用工艺材料——EMC起步，涉足电子材料业务，之后陆续推出让半导体的高密度化/精细化工艺成为可能的图形化材料和封装材料、让电视的大型化和高清化、让智能手机的高分辨率和形态因素变化成为可能的有机材料和膜片材料，由此引领着市场。
公司将在以此掌握的优秀技术竞争力和品质基础上进军电池核心材料——隔膜业务，为囊括半导体、显示屏、电池的数字创新作出贡献。
Technology-
oriented
Customer-
oriented
High
reliability
三星SDI在有机、无机材料设计技术的基础上优化并提供半导体工艺的必要材料，这些材料可以实现移动电话、笔记本电脑等高新设备中包含的内存和工艺芯片的高性能化、高密集化。由于半导体芯片极其精细，原本看不见的杂质也会暴露为致命的缺点，因此三星SDI正在开发应用优秀的提纯和Defect控制 技术完全去除杂质的产品。随着半导体元件的高功能化，稳定性变得越发重要。三星SDI在优秀的组成设计和可靠性掌握技术基础上 提供差异化的封装材料，以便在水分、碰撞等外部环境和损伤中保护半导体元件，实现半导体元件的稳定性能。
SOH是一种用来实现半导体微图形的涂层材料， 其特点是基于Hardmask极其坚硬这一特性和选择比进行深度Etch的功能。 本公司的SOH通过将现有CVD工艺简化为Spin Coating方式 为简化工艺、提高生产效率、降低成本等半导体工艺技术的发展作出了贡献。
SOD是在半导体电路之间进行电绝缘的液态涂层材料， 其特点是反应性低，可改善微图形之间发生的气泡（Void）缺陷。 本公司的SOD通过将现有CVD工艺简化为Spin Coating方式 为简化工艺、提高生产效率、降低成本等半导体工艺技术的发展作出了贡献。
CMP Slurry是通过化学、机械方式使半导体工艺过程中形成的段差等凹凸不平的Wafer表面 变得平坦的研磨剂，其特点是通过颗粒和添加剂的相互优化 改善平坦率、实现Low Defect。 本公司拥有Oxide、Metal（W、Cu）、Ceria Slurry产品群。
EUV材料是用来实现半导体13.5nm超微图形的新一代材料， 本公司正在通过独家专利和共同评估开发和量产Photo Resist、Under Layer、Thinner等。
CIS-CR材料是实现CMOS Image Sensor的Pixel颜色的Photo Resist， 该材料会将可见光选择性地提取、转换为R、G、B中特定颜色的光线， 本公司的CIS-CR材料可实现高分辨率所需的微图形化， 其特点是实现高色域的同时尽可能地减少Pixel之间的光波干涉。
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